真空高溫梯度加熱臺(tái)
一、概述
真空高溫梯度加熱臺(tái)，使用兩片氮化硼絕緣加熱片，對(duì)指定長(zhǎng)條型金屬樣品兩端分別進(jìn)行加熱，并使樣品兩端達(dá)到不同溫度，同時(shí)加熱回路與樣品間具有一定絕緣性。另外包含一個(gè)加熱測(cè)試真空室。
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二、技術(shù)參數(shù)要求
可安裝金屬樣品尺寸：14*6*1mm
加熱臺(tái)工作環(huán)境：真空環(huán)境，真空度好于1*10-4Pa
加熱要求：中心6mm長(zhǎng)度區(qū)域內(nèi)形成溫差，在該區(qū)域的兩端分別安裝熱電偶進(jìn)行測(cè)溫，并能夠分別進(jìn)行溫度控制：一端為700℃，另一端為400℃。
加熱臺(tái)外形：尺寸不大于100*100*100mm。金屬樣品正面無(wú)遮擋，不影響束流及紅外測(cè)溫。
加熱臺(tái)輸入電流/電壓要求：直流，電壓不超過(guò)40V。加熱臺(tái)底座帶真空水冷臺(tái)，水冷臺(tái)尺寸不超過(guò)160*120*30mm。
絕緣要求：在達(dá)到上述要求溫度時(shí)，加熱回路對(duì)樣品的漏電流小于1微安。
氮化硼絕緣加熱片：電阻小于10歐，600℃以下漏電流小于10nA，最高工作溫度1500℃，最大功率不小于200W，附帶2個(gè)50mm長(zhǎng)M2的Ta電極螺桿，以及4個(gè)M2的Ta螺母。
加熱測(cè)試真空室：真空室腔體尺寸不小于300mm*200mm*130mm，壁厚不小于8mm。上蓋板采用O圈密封，兩側(cè)具有CF100法蘭接口及CF80法蘭接口。CF80法蘭可與CF80真空插板閥連接，CF100法蘭蓋板焊接2個(gè)水冷管路接口。真空室側(cè)壁上具有1個(gè)高真空BNC連接器及1個(gè)14芯真空密封航空插頭。真空室漏率好于1*10-9Pa*m3/s。供貨方依據(jù)以上技術(shù)參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及加工制作。
